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Thorlabs石英階躍折射率多模光纖

產(chǎn)品型號：
更新時間：2023-12-19
產(chǎn)品介紹：Thorlabs石英階躍折射率多模光纖
Thorlabs制造的這類數(shù)值孔徑0.22、低羥基或高羥基硬包層石英多模光纖具有良好的性能和透射率，用于可見光到近紅外（400-2200 nm，用于低羥基）或紫外到近紅外（250-1200 nm，用于高羥基）。光纖具有雙包層設(shè)計（TECS在摻氟石英層上），改善了動力使用性能（尤其是在光纖彎折的時候）。
廠商性質(zhì)：代理商
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產(chǎn)品介紹

品牌	Thorlabs	價格區(qū)間	面議
組件類別	光學元件	應(yīng)用領(lǐng)域	電子

Thorlabs石英階躍折射率多模光纖

Thorlabs石英階躍折射率多模光纖特性

不同光譜范圍的低羥基和高羥基版本

低羥基版本用于400-2200 nm

高羥基版本用于250-1200 nm^a

硬包層石英多模光纖

TECS硬質(zhì)摻氟聚合物/石英雙層包加強高動力使用和耐用性能

Thorlabs制造的這類數(shù)值孔徑0.22、低羥基或高羥基硬包層石英多模光纖具有良好的性能和透射率，用于可見光到近紅外(400-2200 nm，用于低羥基)或紫外到近紅外(250-1200 nm，用于高羥基)。光纖具有雙包層設(shè)計(TECS在摻氟石英層上)，改善了動力使用性能(尤其是在光纖彎折的時候)。它也可以增加光纖的強度，減小靜疲勞，且能在光纖剝除時提供保護。石英和TECS包層的強力粘合避免了滑層或脫管，提供更穩(wěn)定的終端。

此類光纖非常適合光譜分析、光遺傳學和醫(yī)學診斷等應(yīng)用。當使用接頭或者插芯連接時TECS包層可用丙酮去除。請注意，在波長低于300 nm時可能發(fā)生負感效應(yīng)。

我們庫存有基于0.22 NA多模光纖的多種光纖跳線配置。點擊下表中More [+]

鏈接查看庫存跳線選擇。也可以定制特殊跳線。點擊右邊Custom Fiber Patch Cables超鏈接獲取更多信息。

a. 在低于300 nm時會發(fā)生負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

Silica Core
Wavelength	Refractive Index
436 nm	1.467287
589.3 nm	1.458965
1020 nm	1.450703
1550 nm	1.444

Stock Patch Cables Available with these Fibers
Item #	Fiber Used	Description	Length
M25	FG200LCC	SMA to SMA	1, 2, or 5 m
M200		SMA to SMA, AR Coated for VIS or NIR	2 m
MHP200		SMA to SMA, High Power Design	2 m
BF13L		SMA to SMA, 13 Fiber Bundle	1 or 2 m
BF13H	FG200UCC	SMA to SMA, 13 Fiber Bundle	1 or 2 m
MHP365	FG365LEC	SMA to SMA, High-Power Design	2 m
M37	FG550LEC	SMA to SMA	1 or 2 m
M47		FC/PC to SMA	1 m
MHP550		SMA to SMA, High-Power Design	2 m
BF20L		SMA to SMA, 7 Fiber Bundle	1 or 2 m
BF20H	FG550UEC	SMA to SMA, 7 Fiber Bundle	1 or 2 m
MHP910	FG910LEC	SMA to SMA, High-Power Design	2 m

0.22 NA Multimode Fiber Selection Guide

Standard Glass-Clad Silica Fiber

TECS Double-Clad High-Power Fiber

Solarization-Resistant UV Fiber

Other Multimode Fiber Options

規(guī)格

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Buffer	Proof Test
FG200UCC	250 - 1200 nm^b	High OH	200 ± 8 µm	240 ± 5 μm	260 ± 6 μm	400 ± 30 μm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS™ Hard Fluoropolymer	Tefzel	≥100 kpsi
FG200LCC	400 - 2200 nm	Low OH
FG273UEC	250 - 1200 nm^b	High OH	273 ± 10 µm	300 ± 6 µm	330 ± 10 µm	400 ± 30 µm
FG273LEC	400 - 2200 nm	Low OH
FG365UEC	250 - 1200 nm^b	High OH	365 ± 14 μm	400 ± 8 μm	425 ± 10 μm	730 ± 30 μm
FG365LEC	400 - 2200 nm	Low OH
FG550UEC	250 - 1200 nm^b	High OH	550 ± 19 μm	600 ± 10 μm	630 ± 10 μm	1040 ± 30 μm
FG550LEC	400 - 2200 nm	Low OH
FG910UEC	250 - 1200 nm^b	High OH	910 ± 30 μm	1000 ± 15 μm	1035 ± 15 μm	1400 ± 50 μm
FG910LEC	400 - 2200 nm	Low OH

該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS包層與纖芯之間的折射率之差計算而來，而不是石英包層和TECS包層/第二包層的折射率之差。

在波長低于300 nm時會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

Item #	NA	Max Power Capability		Max Attenuation @ 808 nm	Max Core Offset	Bend Radius		Operating Temperature	Strip Tool	Core Index	Cladding Index
		Pulsed^a	CW^b			Short Term	Long Term
FG200UCC	0.22 ± 0.02	1.0 MW	0.2 kW	10 dB/km	5 μm	12 mm	24 mm	-60 to 125 °C	T12S18	Proprietary^c	Proprietary^c
FG200LCC
FG273UEC		1.87 MW	0.37 kW		6 µm	16 mm	32 mm		T14S18
FG273LEC
FG365UEC		3.4 MW	0.7 kW		7 μm	20 mm	40 mm		T21S31
FG365LEC
FG550UEC		7.6 MW	1.5 kW		9 μm	30 mm	60 mm		T28S46
FG550LEC
FG910UEC		25.1 MW	5.0 kW		10 μm	50 mm	100 mm		M44S67
FG910LEC

基于1064 nmNd：YAG激光器的5GW/cm²，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

基于1064 nmNd：YAG激光器的1MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

我們不能提供這種專有數(shù)據(jù)，敬請諒解。

多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。

Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interface^a
Type	Theoretical Damage Threshold^b	Practical Safe Level^c
CW(Average Power)	~1 MW/cm²	~250 kW/cm²
10 ns Pulsed(Peak Power)	~5 GW/cm²	~1 GW/cm²

所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。

這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。

這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。

插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機制

有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進而出現(xiàn)損傷。

與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。

為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計特點的接頭。

曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機制的低功率水平限制(由實線表示)。

多模光纖，纖芯Ø200 µm，TECS包層

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Proof Test
FG200UCC	250 - 1200 nm^b	High-OH	200 ± 8 µm	240 ± 5 µm	260 ± 6 µm	400 ± 30 µm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS Hard Fluoropolymer	≥100 kpsi
FG200LCC	400 - 2200 nm	Low-OH

Item #

Max Power Capability

Max Attenuation
@ 808 nm

Max Core
Offset

Bend Radius

Operating
Temperature

Strip
Tool

Core Index

Cladding Index

Pulsed^c

CW^d

Short Term

Long Term

FG200UCC

0.22 ± 0.02

1.0 MW

0.2 kW

10 dB/km

5 µm

12 mm

24 mm

-60 to 125 °C

T12S18^e

Proprietary^f

FG200LCC

a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。

b. 在低于300 nm的波長下可能出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm²，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

e. 該工具可以剝除光纖的緩沖層，從而對內(nèi)部包層進行端接。

f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。

產(chǎn)品型號	公英制通用
FG200UCC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø200 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層
FG200LCC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø200 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層

多模光纖，纖芯Ø273 µm，TECS包層

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Proof Test
FG273UEC	250 - 1200 nm^b	High OH	273 ± 10 µm	300 ± 6 µm	330 ± 10 µm	400 ± 30 µm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS Hard Fluoropolymer	Tefzel
FG273LEC	400 - 2200 nm	Low OH

Item #

Max Power Capability

Max Attenuation
@ 808 nm

Max Core
Offset

Bend Radius

Operating
Temperature

Strip
Tool

Core Index

Cladding Index

Pulsed^c

CW^d

Short Term

Long Term

FG200UCC

0.22 ± 0.02

1.87 MW

0.37 kW

10 dB/km

6 µm

16 mm

32 mm

-60 to 125 °C

T14S18^e

Proprietary^f

FG273LEC

a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。

b. 在低于300 nm的波長下可能出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

c. 基于1064 nm Nd：YAG激光器的5GW/cm² ，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

d. 基于1064 nm Nd：YAG激光器的1MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

e. 該工具可以剝除光纖的緩沖層，從而對內(nèi)部包層進行端接。

f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。

產(chǎn)品型號	公英制通用
FG273UEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø273 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層
FG273LEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø273 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層

多模光纖，纖芯Ø365 µm，TECS包層

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Proof Test
FG365UEC	250 - 1200 nm^b	High-OH	365 ± 14 µm	400 ± 8 µm	425 ± 10 µm	730 ± 30 µm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS Hard Fluoropolymer	≥100 kpsi
FG365LEC	400 - 2200 nm	Low-OH

Item #

Max Power Capability

Max Attenuation
@ 808 nm

Max Core
Offset

Bend Radius

Operating
Temperature

Strip
Tool

Core Index

Cladding Index

Pulsed^c

CW^d

Short Term

Long Term

FG365UEC

0.22 ± 0.02

3.4 MW

0.7 kW

10 dB/km

7 µm

20 mm

40 mm

-60 to 125 °C

T21S31^e

Proprietary^f

FG365LEC

a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。

b. 在低于300 nm的波長下會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm²，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1 MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內(nèi)部包層進行端接。

f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。

產(chǎn)品型號	公英制通用
FG365UEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø365 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層
FG365LEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø365 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層

多模光纖，纖芯Ø550 µm，TECS包層

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Proof Test
FG550UEC	250 - 1200 nm^b	High-OH	550 ± 19 µm	600 ± 10 µm	630 ± 10 µm	1040 ± 30 µm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS Hard Fluoropolymer	≥100 kpsi
FG550LEC	400 - 2200 nm	Low-OH

Item #

Max Power Capability

Max Attenuation
@ 808 nm

Max Core
Offset

Bend Radius

Operating
Temperature

Strip
Tool

Core Index

Cladding Index

Pulsed^c

CW^d

Short Term

Long Term

FG550UEC

0.22 ± 0.02

7.6 MW

1.5 kW

10 dB/km

9 µm

30 mm

60 mm

-60 to 125 °C

T28S46^e

Proprietary^f

FG550LEC

a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。

b. 在低于300 nm的波長下會發(fā)生負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm²，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內(nèi)部包層進行端接。

f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。

產(chǎn)品型號	公英制通用
FG550UEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø550 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層
FG550LEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø550 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層

多模光纖，纖芯Ø910 µm，TECS包層

Item #	Wavelength Range	Hydroxyl Content	Core Diameter	Cladding Diameter	Coating Diameter	Buffer Diameter	Core/ Cladding	Coating^a	Proof Test
FG910UEC	250 - 1200 nm^b	High-OH	910 ± 30 µm	1000 ± 15 µm	1035 ± 15 µm	1400 ± 50 µm	Pure Silica / Fluorine-Doped Silica	TECS Hard Fluoropolymer	≥100 kpsi
FG910LEC	400 - 2200 nm	Low-OH

Item #

Max Power Capability

Max Attenuation
@ 808 nm

Max Core
Offset

Bend Radius

Operating
Temperature

Strip
Tool

Core Index

Cladding Index

Pulsed^c

CW^d

Short Term

Long Term

FG910UEC

0.22 ± 0.02

25.1 MW

5.0 kW

10 dB/km

10 µm

50 mm

100 mm

-60 to 125 °C

M44S67^e

Proprietary^f

FG910LEC

a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，它是由TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。

b. 在波長低于300 nm時會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。

c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm²，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1 MW/cm²，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。

e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內(nèi)部包層進行端接。

f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。

產(chǎn)品型號	公英制通用
FG910UEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø910 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層
FG910LEC	多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø910 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層