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分離式熱釋電探測(cè)器

分離式熱釋電探測(cè)器

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 更新時(shí)間:2024-04-16
  • 產(chǎn)品介紹:分離式熱釋電探測(cè)器
    加拿大Gentec-EO公司生產(chǎn)的激光功率能量計(jì)在激光測(cè)量領(lǐng)域聲名顯赫,其產(chǎn)品在上獲得了廣泛的應(yīng)用。三十多年來(lái),Gentec-EO一直全心致力于激光測(cè)量?jī)x器的研制與開(kāi)發(fā),為用戶提供更加全面的產(chǎn)品規(guī)格及更優(yōu)惠的價(jià)格。七十年代初率產(chǎn)出*臺(tái)焦熱電式能量計(jì);也產(chǎn)了熱電堆式和焦熱電式能量計(jì)和功率計(jì);
  • 廠商性質(zhì):代理商
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產(chǎn)品介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子

分離式熱釋電探測(cè)器

加拿大Gentec-EO公司生產(chǎn)的激光功率能量計(jì)在激光測(cè)量領(lǐng)域聲名顯赫,其產(chǎn)品在上獲得了廣泛的應(yīng)用。三十多年來(lái),Gentec-EO一直全心致力于激光測(cè)量?jī)x器的研制與開(kāi)發(fā),為用戶提供更加全面的產(chǎn)品規(guī)格及更優(yōu)惠的價(jià)格。七十年代初率產(chǎn)出*臺(tái)焦熱電式能量計(jì);也產(chǎn)了熱電堆式和焦熱電式能量計(jì)和功率計(jì);九十年代中期研發(fā)的今的WB技術(shù),目前已使探測(cè)面平均功率密度損失閾值高達(dá)100kW/cm2。Gentec-EO的激光功率能量計(jì)適用于多種激光測(cè)量,如工業(yè)激光、醫(yī)用激光等。

分離式熱釋電探測(cè)器

特征

-譜響應(yīng)寬

0.1 1000 µm

li> 五個(gè)家庭產(chǎn)品之間的選擇:

QS-L:離散的熱釋電探測(cè)器,噪聲低

QS-H:離散的熱釋電探測(cè)器,平均功率高

QS-VL:混合的熱釋電探測(cè)器,電壓模式,噪聲低

QS-IF:混合的熱釋電探測(cè)器,電流模式,快速響應(yīng)

QS-IL:混合的熱釋電探測(cè)器,電流模式,噪聲低


-于集成的格式

TO5 和 TO8 封裝使QS-H 探測(cè)器體積小,易于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。


-面積傳感器

5 mm 和 9 mm 直徑的熱釋電傳感器使光學(xué)校準(zhǔn)更容易


-多種紅外視窗可供選擇

石英: 0.2 – 3.5 µm

氟化鋇:0.2 – 17.5 µm

藍(lán)寶石:0.1 – 7.0 µm

硅:1.2 – 9.0 µm 和 22 – 100 µm

氬鍺:1.8 – 23 µm(10.6µm峰值)


熱釋電感溫探測(cè)器

我們的熱釋電探測(cè)器是一種室溫感溫探測(cè)器,暴露于輻射源時(shí),其電流輸出與溫度的變化率成正比。這些產(chǎn)品適合用于交流電源、電容器和電阻器。其輸出電流由方程式 I = p(T)·A·dT/dt 決定,其中 I 是電流,p(T) 是熱釋電系數(shù),A 是前電極所定義的面積,dT/dt 是熱釋電晶體的溫度變化率。相比于其他紅外探測(cè)器,熱釋電探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)在于:室溫操作、廣譜響應(yīng)、高靈敏度 (D*) 和快速響應(yīng)(亞納秒內(nèi)達(dá)到 50Ω負(fù)載)。


QS-L 和 QS-H 離散熱釋電探測(cè)器


我們的被動(dòng)式離散熱釋電探測(cè)器直徑在 1 9 mm 之間,提供兩種配置:高靈敏度或高平均功率。其熱釋電探測(cè)器原件由金屬涂層 (MT) 覆蓋,并封裝在微型 TO-5 或 TO-8 罐內(nèi)。左圖所示為兩種探測(cè)器的引腳。我們的有機(jī)黑涂層 (BL) 增強(qiáng)了光學(xué)吸收,有助于平坦化光譜響應(yīng)。我們還提供多種可加入 TO 罐內(nèi)的*性紅外窗口。這些離散熱釋電探測(cè)器*適用于脈沖激光應(yīng)用。


QS-VL 電壓模式混合型熱釋電探測(cè)器

熱釋電探測(cè)器為高阻抗 (>1013 Ω) 設(shè)備,要獲得高靈敏度(高 D*),需在阻抗轉(zhuǎn)換電路中使用。我們的 QS-VL 系列探測(cè)器包含熱釋電元件,該元件與源極輸出電路中的超低噪 FET 配套。這些探測(cè)器依次封裝在微型 TO-5 或 TO-8 罐內(nèi)。該系列的等效電路和引腳如左圖所示。其同樣提供 1 9 mm 的直徑尺寸。這些型號(hào)*適用于分析儀器應(yīng)用,如寬帶紅外輻射計(jì)、光學(xué)高溫計(jì)和/或傅里葉紅外光譜儀。


QS-IF 和 QS-IL 電流模式混合型熱釋電探測(cè)器

此類探測(cè)器提供高增益 (>105 V/W) 和/或高帶寬 (>10 MHz)。在這一配置下,熱釋電傳感器元件與低噪聲運(yùn)算放大器相結(jié)合。QS-IL 型號(hào)設(shè)計(jì)用于在低中頻率下獲得高性能,而 QS-IF 型號(hào)則在中高頻率下提供高性能。這些探測(cè)器非常易于使用。只需為運(yùn)算放大器接通 +/- 10 15 V 的電源并添加一個(gè)外部電阻器(如有必要)以調(diào)節(jié)帶寬,您便可以測(cè)量從 nJ 到 mJ 以及從 nW 到 W 的脈沖、調(diào)制或斬波源。同時(shí),此類探測(cè)器對(duì)任何類型的帶寬分析儀器或激光測(cè)量產(chǎn)品都非常適用。


電壓輸出 VS頻率

我們的 QS-VL 和 QS-IL 混合型探測(cè)器設(shè)計(jì)以較低的頻率在大程度上提高電壓輸出,因此,探測(cè)器內(nèi)包含電阻值在 100 GΩ 300 GΩ 范圍內(nèi)的負(fù)載和反饋電阻。同時(shí),此類探測(cè)器使用 8 引腳 TO 封裝,允許安裝“外部電阻器"以降低輸出并增加帶寬。左邊所示電路圖為 QS5-IL 探測(cè)器(帶 MT 涂層)的典型試驗(yàn)接線圖。另一方面,我們的 QS-IF 系列設(shè)計(jì)用于高帶寬應(yīng)用,因而內(nèi)含一個(gè)較小的 100 MΩ 反饋電阻。欲獲得探測(cè)器電路設(shè)計(jì)方面的專業(yè)幫助,請(qǐng)通過(guò) info@gentec-eo.com 。


功率測(cè)量模式下的操作

如果您使用我們的 QS-IL 混合型探測(cè)器測(cè)量您的 CW 或高重復(fù)頻率源(準(zhǔn) CW)的功率(以瓦特為單位),那么需要使用一個(gè)光斬波器。左圖所示為 QS5-IL 與我們的 QS-I-TEST 評(píng)估測(cè)試盒配合使用時(shí)的典型電壓輸出。請(qǐng)注意,電壓輸出大致呈“方波"形,其上升和下降次數(shù)由電路的 RC 時(shí)間常數(shù)決定。光功率與峰值電壓和基準(zhǔn)電壓之差成正比。在該模式下操作時(shí),我們會(huì)對(duì)這些設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)。


緊急測(cè)量模式下的操作

如果您需要在全光譜范圍內(nèi)測(cè)量脈沖激光從 nJ 到 mJ 的性能,那么我們的熱釋電探測(cè)器是您的理想選擇!左圖的示波器軌跡為 QS9-IL 與作為積分焦耳計(jì)的 QS-I-TEST 配合使用時(shí)的典型輸出。請(qǐng)注意,該軌跡很快上升到峰值,然后較為緩慢地下降,這一軌跡由為積分電路選擇的 RC 時(shí)間常數(shù)決定。在這一配置下,您可以測(cè)量脈沖能量、重復(fù)頻率和脈沖穩(wěn)定性。源的大脈沖寬度由您選擇的 RC 時(shí)間常數(shù)決定,脈沖可以無(wú)限短!


廣譜響應(yīng)

與光導(dǎo)和光電探測(cè)器不同,我們的熱釋電感溫探測(cè)器不局限于電磁頻譜的一小部分。它們是的廣譜探測(cè)器,靈敏度在 0.1 μm 3000 μm(遠(yuǎn)紫外、遠(yuǎn)紅外和太赫)之間。我們的涂層或熱釋電晶體所吸收的任何輻射都將產(chǎn)生可測(cè)量的信號(hào)。左圖中的兩條曲線所示為涂有 MT 涂層和 BL 涂層的探測(cè)器的相對(duì)光譜響應(yīng)。請(qǐng)注意,根據(jù)可靠文獻(xiàn),這些曲線的 NIST 溯源校準(zhǔn)部分在 0.25 μm 15 μm 之間。對(duì)于大于 15 μm 的測(cè)量,目前沒(méi)有可追溯的光學(xué)標(biāo)準(zhǔn)。


姓名

描述

形象

P/N

QS5-L

5 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,T05包裝。

201664

QS1-L

1 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,T05包裝。


201657

QS2-L

2 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,T05包裝。

201659

QS3-L

3 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,T05包裝。


201662

QS9-L

9 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,T05包裝。


201666

QS3-H

3 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,高平均功率,T05包裝。


201663

QS9-H

9 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,高平均功率,T05包裝。


201667

QS2-H

2 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,高平均功率,T05包裝。

201661

QS1-H

1 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,高平均功率,T05包裝。


201658

QS5-H

5 毫米直徑,離散熱釋電傳感器帶鉻涂層,高平均功率,T05包裝。

201665

QS9-VL

9 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電壓模式,低噪音水平,T05包裝。


201678

QS1-VL

1 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電壓模式,低噪音水平,T05包裝。


201673

QS5-VL

5 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電壓模式,低噪音水平,T05包裝。

201677

QS3-VL

3 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電壓模式,低噪音水平,T05包裝。


201676

QS2-VL

2 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電壓模式,低噪音水平,T05包裝。

201674

QS1-IF

1 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,快速響應(yīng),T05包裝。


201679

QS9-IF

9 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,快速響應(yīng),T05包裝。


201683

QS2-IF

2 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,快速響應(yīng),T05包裝。

201680

QS3-IF

3 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,快速響應(yīng),T05包裝。


201681

QS5-IF

5 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,快速響應(yīng),T05包裝。

201682

QS2-IL

2 毫米直徑,混合型熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,低噪音水平,T05包裝。

201685

QS3-IL

3 毫米直徑,混合型熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,低噪音水平,T05包裝。


201686

QS1-IL

1 毫米直徑,混合型,熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,低噪音水平,T05包裝。


201684

QS9-IL

9 毫米直徑,混合型熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,,低噪音水平,T05包裝。


201688

QS5-IL

5 毫米直徑,混合型熱釋電傳感器帶鉻涂層,電流模式,低噪音水平,T05包裝。

201687


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